X - Ray Powder Spectroscopy Serves to Study the Metal-Semiconductor
Interfaces

Dr. Pawolski Vador

ISSN: 2155-9872

Revista de técnicas analíticas y bioanalíticas

Acceso abierto

Nuestro grupo organiza más de 3000 Series de conferencias Eventos cada año en EE. UU., Europa y América. Asia con el apoyo de 1.000 sociedades científicas más y publica más de 700 Acceso abierto Revistas que contienen más de 50.000 personalidades eminentes, científicos de renombre como miembros del consejo editorial.

Revistas de acceso abierto que ganan más lectores y citas
700 revistas y 15 000 000 de lectores Cada revista obtiene más de 25 000 lectores

Políticas y ética de publicación

Indexado en

Índice de fuentes CAS (CASSI)
Índice Copérnico
Google Académico
sherpa romeo
Base de datos de revistas académicas
Abrir puerta J
Revista GenámicaBuscar
TOC de revistas
InvestigaciónBiblia
Infraestructura Nacional del Conocimiento de China (CNKI)
Directorio de publicaciones periódicas de Ulrich
Biblioteca de revistas electrónicas
Búsqueda de referencia
Directorio de indexación de revistas de investigación (DRJI)
Universidad Hamdard
EBSCO AZ
OCLC-WorldCat
director académico
Catálogo en línea SWB
Biblioteca Virtual de Biología (vifabio)
publones
Pub Europeo
ICMJE

Enlaces útiles

Revistas de acceso abierto

Comparte esta página

Abstracto

X - Ray Powder Spectroscopy Serves to Study the Metal-Semiconductor Interfaces

Dr. Pawolski Vador

Interfaces in Al/Si, Au/Si, and Au/GaAs materials have been studied using variable-energy positron annihilation spectroscopy. To discover the kind of locations that positrons were likely to sample, Doppler broadening results were analysed using computational fits of the ROYPROF programme. The positron work function of these materials was brought into consideration after it was discovered that the interfaces were working as a capturing thin layer with insignificant positrons halted in them and that their properties stemmed only from positrons diffusing to these interfaces. The interfaces are all 1 nm thick and act as an absorbing sink for all thermal positrons that diffuse in their direction, according to all fittings. This either points to the presence of open volume flaws or to a flaw in the accepted theoretical models for positron affinities. Measurements made after applying external electric fields to an Al/Si sample are used to support the conclusion. The sensitivity of interfaces in these endeavours and their significance in data analysis and the creation of fitting cods have been well shown by theoretical fittings.

Descargo de responsabilidad: este resumen se tradujo utilizando herramientas de inteligencia artificial y aún no ha sido revisado ni verificado.