Revista de pulvimetalurgia y minería

Abstracto

Estudios sobre diferentes concentraciones de Zn dopado en películas delgadas de CdSe

Rani S 1 , Shanthi J 2 , Kashif M 3 , Ayeshamariam A 4* y Jayachandran M 5

Se doparon películas delgadas de CdSe con concentraciones diferentes de Zn mediante el método de evaporación por haz de electrones. Se estudió la variación de los cristalitos en cuanto al efecto dopante y se encontró que era de aproximadamente 40 a 50 nm respectivamente. Se encontró que los valores de la brecha de banda óptica se modifican mediante el dopaje y el recocido. Las películas recocidas mostraron una influencia considerable en sus propiedades optoelectrónicas y estructurales, lo que proporcionó una mejora en la eficiencia de conversión de aproximadamente 2,75% y 2,87% respectivamente.